二維材料讓數位邏輯與記憶體整合在同一晶片上

（編譯/Vincent） 史丹佛大學的研究員展示了以單層MoS2製作的場效電晶體，並成功地驅動電阻性隨機存取記憶體(RRAM)。這項成果最近在IEEE國際電子元件會議上發表，彰顯了混合記憶體、邏輯電路整合在一個3D積體電路的重大里程碑。 史丹佛所發展的晶片是由單一電晶體、單一電阻(1T1R)組成的記憶體單元。這樣的架構相對於由電阻性隨機存取記憶體所組成、但無電晶體的記憶體陣列而言，有非常大的好處。 如果沒有電晶體的話，所有的記憶體單元等於是由幾條連結線連成一個電阻網路...