Tag : EUV

三月 5, 2018
新技, 新聞
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EUV統計缺陷阻礙5奈米晶片上市 Imec發現可提前上市的優化之道

（編譯/Vincent） 深紫外線(Extreme-ultraviolet, EUV)微影技術看來今年稍後就會登場，要製造數目龐大、且電路更細小的積體電路將變得更為容易。不過對下一代、電路更形微小的晶片，EUV還能夠繼續沿用嗎？比利時奈米電子暨數位科技研發創新中心Imec發現了EUV用在5奈米晶片會遇到的一些問題，而這些5奈米晶片原本預計在2020年晚期將進入量產。依照高等黃光技術計畫經理Kurt Ronse的說法，這些問題不是無解，但是要費的功夫不少。 EUV用來決定電晶體及連線線寬的光波長是13.5...

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四月 10, 2017
新技, 新聞
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<span class="entry-title-primary">定向自組裝技術新進展　讓矽晶片輕易突破10nm以下</span> <span class="entry-subtitle">比EUV更可行</span>

（編譯/Vincent） 好幾年以來，深紫外線(EUV)一直被認定是未來產業的希望，即使其被整合進主流製程的時程一直遞延。如今MIT的一群科學家展示有力的證據：如果能克服特定問題，那麼或許定向自組裝技術(DSA)才是製造10nm以下晶片更簡單的方法。 DSA不是一個單獨的製造技術，它是利用化工程序刻印出結構的補助方法。有好些技巧可以讓材料在奈米尺寸進行定向自組裝。 MIT新聞是這麼描述這個程序：「首先，晶片表面以傳統微影製程製造一些線條的圖樣。接下來，利用自旋塗層(Spin Coating...

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